未來設(shè)計的規(guī)劃
影響未來設(shè)計中的新興。HDD的面密度一直在以每年的速度。磁阻和已經(jīng)開發(fā)出了磁阻傳感器來支持這種。軟磁合金這些的操作描述傳感器。進(jìn)行投影硬盤的未來性能和價格。磁性硬盤驅(qū)動器。新頭部設(shè)計的實(shí)驗(yàn)室研究和導(dǎo)致了1、3、5和近的11.6吉比特/平方英寸。這些的意圖調(diào)查是為了開發(fā)頭部用于未來的產(chǎn)品,實(shí)際上是具有1.6吉比特/ in2的面密度將較高可能到2001年。圖3顯示了磁頭的演變來支持這種面密度的增加。用于讀取和寫入的薄膜感應(yīng)頭從1991年開始由磁阻(MR)代替讀取傳感器與感應(yīng)式寫入頭相結(jié)合,在1997年,一個大磁阻(GMR)磁頭被引入以繼續(xù)這一進(jìn)展。一個實(shí)驗(yàn)室演示速度為11.6吉比特/ in2使用此GMR頭設(shè)計執(zhí)行。新頭設(shè)計正在出現(xiàn),以提供進(jìn)一步的區(qū)域密度增加,涉及的GMR結(jié)構(gòu)或已報道的隧道結(jié)裝置。數(shù)字4表示MR和GMR讀取的縮放過程自1991年以來的傳感器。這種發(fā)展涉及減少傳感器的長度,從而增加了航跡密度的以及膜厚度的減小,這決定了位密度。每次遞減結(jié)果高的面密度并相應(yīng)地高硬盤容量,這種發(fā)展有望在整個十年中一直延續(xù)到下一個。
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